BJT

• στον υπολογισμό της RIN  
• λαμβάνουμε υπόψη την RL (σύμφωνα με το βιβλίο)
• δεν λαμβάνουμε υπόψη την RL (σύμφωνα με τον xaxa)
• στον υπολογισμό της ROUT δεν λαμβάνουμε υπόψη την RL

Rin σε BJT και MOSFET

Για τον υπολογισμό της Rin

•  BJT αγνοούμε την RL
•  MOSFET την υπολογίζουμε κανονικά.

Υπολογισμός της Rout (BJT)

1. βραχυκυκλώνουμε τις ανεξάρτητες πηγές τάσης & ανοιχτοκυκλώνουμε τις εξαρτημένες πηγές έντασης
2. μαζεύουμε όλες τις αντιστάσεις αριστερά του εκπομπού σε μία που την ονομάζουμε RΒΑΣΗΣ
3. αντί για RΒΑΣΗΣ θεωρούμε R'ΒΑΣΗΣ=RΒΑΣΗΣ/(β+1)

4ο Κεφάλαιο (MOSFET) Ασκήσεις

4.69
(α),(β),(γ),(δ)

4.77
(α),(β),(γ),(δ)

4.79
υπολογισμός συνολικού κέρδους τάσης OK

5ο Κεφάλαιο (BJT) ασκήσεις

5.144

• βρείτε το DC ρεύμα εκπομπού
• βρείτε την Rin
• βρείτε το Uo/Usig ΠΡΟΣΟΧΗ

5.134

• (α),(β),(γ)

5.143

• (α),(β) ΟΚ
• (γ) OK

5.104

• απλές μετρήσεις OK

Το καλοκαίρι...

να δω τελεστικούς ενισχυτές από κανάλι youtube!

MOSFET μικρο signal

• κέρδος τάσης υout/υin
• κέρδος τάσης ανοικτού κυκλώματος βάζω την RL άπειρη
• συνολικό κέρδος τάσης είναι (υout/υin)x(υin/υs)

BJT in Saturation Region !SOS!

Άμα σε ένα BJT βλέπω μεγάλη αντίσταση στην βάση τότε ξεκινάω υποθέτοντας ότι το τρανζίστορ λειτουργεί στην ενεργό περιοχή.Ισχύουν οι γνωστές οι σχέσεις.
ΠΡΟΣΟΧΗ. Μόλις βρω κάθε αποτέλεσμα πρέπει να κάνω έλενχο αν όντως το διπολικό λειτουργεί στην ενεργό περιοχή.Αν δεν ισχύει ξαναξεκινάω την υπόθεσή μου τώρα όμως υποθέτω ότι το τρανζίστορ λειτουργεί στην περιοχή του κορεσμού.Δυστυχώς στον κορεσμό δεν ισχύουν οι γνωστέςσχέσεις που ξέρω και ίσως η ανάλυση να γίνει λίγο πιο δύσκολη.Γνωρίζω όμως τα εξής:
VCE=0.2V , VBE=0.7V και VCB=-0.5V.
Η ανάλυση θα γίνει ως εξής,
1ο βήμα παίρνω δύο KVL στα B-E και στα C-E και φτιάχνω ένα σύστημα με τρεις αγνώστους.
2ο βήμα εισάγω την σχέση IE=IC+IB  στο παραπάνω σύστημα


Λοιπόν άκυρο το προηγούμενο.
Η ανάλυση θα γίνει ως εξής:
1ο βήμα IE=IB+IC
2o βήμα γράφω τον νόμο του Ohm για καθένα από τα ρεύματα και αντικαθιστ´ω στην παραπάνω σχέση
3ο βήμα Χρησιμοποιώ τα γνωστά δυναμικά ώστε να έχω ένα άγνωστο.

Στο ξεκίνημα DC ανάλυσης στα MOSFET

ΠΡΟΣΟΧΗ  να μην κολλήσω και χάνω χρόνο τζάμπα.

Πάντα στην DC ανάλυση θα υποθέτω ότι το τρανζίστορ θα είναι σε μία περιοχή

π.χ. στον κόρο και από κει θα παίρνω την 1η εξίσωση και μετά από

το κύκλωμα του τρανζιστορ θα παίρνω την 2η εξίσωση,

Άρα

1η εξίσωση:ID=K(VGS-Vt)^2

2η εξίσωση:από το κύκλωμα του τρανζίστορ

Thevenin ισοδύναμο

click

BJT DC και AC ανάλυση (videos)

BJT τα βασικά (video)

BJT και πόλωση

BJT perioxewwwww

enw sta mosfet vriskame se poia perioxi leitourgei simfwna me tis taseis edw sta bjt analoga me tin polwsi.min ksexnw orthi polwsi to thetiko sto p kai to arnhtiko sto n , npn pnp sossss!!!!

Q-point

The operating point of a device,also known as Q-point is the point on the output characteristics that shows the DC collector-emitter voltage(Vce) and the collector current(Ic) with no input signal applied.
Often, Q-point is established near the center of active region of transistor characteristic to allow similar signal swings in positive and negative directions.

Το MOS ως ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

Για να χρησιμοποιηθεί ένα MOSFET τρανζίστορ ως ενισχυτής θα πρέπει να λειτουργεί με κατάλληλη πόλωση στην περιοχή του κόρου.

Common Emitter Amplifier

• First step, drawing an AC Model

DC Analysis

• The first step in the DC analysis of any transistor circuit is to solve for one of the unknown currents, i.e, Ic, Ie or Ib.

nMOS

• Στο nMOS transistor η ΠΗΓΗ(Source) πάντα συνδέεται στον GROUND.
• Το ρεύμα IG σε ένα MOS transistor είναι ίσο με το μηδέν.  
• Το κρίσιμο σημείο για το nMOS τρανζίστορ είναι το VGS-VT, όσο η τιμή του VDS είναι κάτω από το VGS-VT τότε το τρανζίστορ λειτουργεί στην τρίοδο, ενώ όταν υπερβεί αυτή την κρίσιμη τιμή τότε το τρανζίστορ πάει στην περιοχή του κόρου και το ρεύμα δεν εξαρτάται καθόλου από την περαιτέρω αύξηση της VDS(αυτό φαίνεται και από την εξίσωση του ρεύματος). 
• ΆΡΑ ΚΡΙΣΙΜΟ ΣΗΜΕΙΟ VGS-VT